主要规格及技术指标
 真空腔室：φ450 mm×h400mm
 真空系统：复合分子泵+直联旋片泵,气动真空阀门，“两低一高”数显复合真空计
 真空极限：优于8.0×10-5pa
 抽速：从大气抽至6.0×10-3pa≤15min
 可镀膜尺寸：3英寸1片，散片若干
 基片加热与旋转：衬底加热：室温～600℃，自动测温，pid控温；基片旋转：0-20转/分钟，可调可控
 溅射靶规格：4英寸，标配2只，另预留1对蒸发电极（中频溅射+射频溅射）
 膜厚不均匀性：≤±5%
 控制方式：手动按钮控制
 报警及保护：对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施
主要功能及特色

    该设备具有多靶磁控溅射功能，标配2只4inch磁控靶，预留1对蒸发电极，能够溅射蒸发两用；溅射靶采用波纹管结构，方便调整角度；溅射靶中频电源溅射取代传统直流溅射，改善靶的电弧放电及“中毒”现象。 该设备主要用来开发纳米级单层及多层的导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性材料等，基片台加负偏压可实现基片反溅清洗功能。

样本检测注意事项
      1、 开仪器总电源前一定要先打开循环水泵。
      2、 腔室真空度在10的负一次帕以下才能打开分子泵。
      3、 分子泵运行结束后才能停止运行机械泵。
      4、 仪器运行期间注意排风设施。
      5、 仪器使用为高压电源，高压危险！

所属单位
      分析测试中心

放置地点
      工业生态楼D108

联系人
      高培峰
联系方式
      电话 134-8869-9859
      邮箱 sscgpf@bit.edu.cn

收费标准
     校内：80元/小时
     校外：150元/小时