主要用途 当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 u 

性能参数 a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； b)侦测波长范围900nm - 1700nm c)像素尺寸：30um x 30um d)曝光时间 20ms - 400s e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x f)Back side EMMI u 

应用范围 　1.P-N接面漏电 　2.饱和区晶体管的热电子 　3.P-N接面崩溃 　4.闩锁效应 　5.氧化层漏电流产生的光子激发