主要用途 芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 u 

性能参数 a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV 

- 离子束：500V~30kV b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV

- 离子束：2.5nm/30kV c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 u 

应用范围 1.定点切割 2.穿透式电子显微镜试片 3.IC线路修补和布局验证 4.制程上异常观察分析 5.晶相特性观察分析 6.故障位置定位用被动电压反差分析